SiC功率器件的概況

SiC（碳化矽）功率器件以其耐高溫、耐、低開關(guan) 損耗等特性，能有效實現係統的高效率、小型化、輕量化、高功率密度等要求，受到了汽車、光伏發電、軌道交通、等領域的追捧。

在車用領域，SiC功率器件在能量轉換效率上的顯著優(you) 勢，能有效增加電動汽車的續航裏程和充電效率。另外，SiC器件的導通電阻更低、尺寸更小、工作頻率更高，能夠使電動汽車適應更加複雜的行駛工況。隨著SiC良率的提升、成本的降低，SiC功率器件在新能源汽車上的裝機量會(hui) 大幅上升，SiC功率器件的車用需求也會(hui) 迎來跨越式發展。

當前，SiC全球產(chan) 業(ye) 布局上，形成美、歐、日三強態勢，但與(yu) 第一代、第二代材料相比，全球第三代半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 均還在發展初期，國內(nei) 與(yu) 主流SiC產(chan) 業(ye) 差距不大，為(wei) 國產(chan) 三代半產(chan) 業(ye) 提供了彎道超車、打入高端產(chan) 業(ye) 鏈的機會(hui) 。

國產(chan) SiC功率器件麵臨(lin) 的主要問題

目前，SiC產(chan) 業(ye) 普遍遇到的問題是良率低、成本高的瓶頸，而對於(yu) 國產(chan) 器件，一致性和可靠性也是其市場應用的攔路虎，要獲取市場信任與(yu) 認可，可靠性驗證是必經之路。驗證SiC功率器件高溫與(yu) 高壓下的壽命，可采用高溫反偏（HTRB）作為(wei) 基礎的驗證試驗。

SiC功率器件的高溫反偏試驗

1、高溫反偏試驗的作用

高溫反偏試驗是模擬器件在靜態或穩態工作模式下，以最高反偏電壓或指定反偏電壓進行工作，以研究偏置條件和溫度隨時間對器件的壽命模擬。甚至一些還會(hui) 將其作為(wei) 一篩或二篩的核心試驗。

2、高溫反偏的試驗條件

分立器件的高溫反偏主要采用的試驗標準有MIL-STD-750 方法1038、J22-A108、GJB 128A-1997 方法1038、AEC-Q101表2 B1項等。

各類標準從(cong) 試驗溫度、反偏電壓電參數測試均做出了明確的定義(yi) ，而試驗方法、原理均差別不大，其中，以車規的要求最為(wei) 嚴(yan) 苛，在模擬最高結溫工作狀態下，100%的反偏電壓下運行1000h。

對於(yu) SiC功率器件而言，其最大額定結溫普遍在175℃以上，而反偏電壓已超過650V，更高的溫度、更強的電場加速鈍化層中可移動離子或雜質的擴散遷移，從(cong) 而提前發現器件異常，較大程度地驗證器件的可靠性。

美軍(jun) 標和車規標準高溫反偏試驗條件的對比

3、SiC功率器件高溫反偏試驗的過程監控

Si基的高溫漏電流一般在1~100μA，而SiC二極管高溫反偏試驗過程漏電流通常比較小，為(wei) 0.1~10μA級別。如果器件存在缺陷，漏電還會(hui) 隨著時間的推移而逐漸上升。這需要有實時的、較高精度的漏電監控係統，提供整個(ge) 試驗周期漏電流的監控數據以觀察器件的試驗狀態。

高溫反偏試驗台漏電流監控界麵

4、如何通過高溫反偏試驗？

高溫反偏試驗主要考察器件的材料、結構、封裝可靠性，可反映出器件邊緣終端、鈍化層、鍵合（interconnect）等結構的弱點或退化效應。

因此，功率器件是否能通過高溫反偏試驗，應從(cong) 設計階段考慮風險，綜合考量電場、高溫對材料、結構、鈍化層的老化影響。以實際應用環境因素要求一體(ti) 化管控材料選型、結構搭建設計，提升良品率。