Global
可持續發展
可持續發展
持續創新、引領行業進步是我們不屈的使命。
新聞&資源
新聞&資源
時刻與您分享我們的一點一滴
關於我們
關於我們
乐天堂FUN88電子集技術研發、芯片製造、封裝測試、銷售和服務於一體
人才發展
人才發展
一同釋放潛力,塑造人類健康未來
新聞&資源
時刻與您分享我們的一點一滴
企業新聞 行業資訊 產品知識 資料下載
N型SIC和P型SIC的歐姆接觸的基本原理?
來源:乐天堂FUN88電子 發布日期:2023-06-18 瀏覽次數:2891次
分享:

N型碳化矽和P型碳化矽的歐姆接觸的基本原理是通過合適的金屬材料與(yu) 碳化矽材料之間的電子轉移來建立接觸電阻盡可能小的電氣連接。

  • 對於N型碳化矽,其導電性主要由額外的自由電子貢獻。當金屬與N型碳化矽接觸時,金屬中的自由電子可以輕易地進入N型碳化矽中,形成電子注入,使碳化矽形成具有低電阻的接觸。
  • 對於P型碳化矽,其導電性主要由空穴貢獻。當金屬與P型碳化矽接觸時,金屬中的自由電子與P型碳化矽中的空穴結合,形成電子-空穴對而減弱空穴濃度,這樣就可以形成具有低電阻的接觸。
  • N型和P型SIC的歐姆接觸的基本原理是通過金屬與碳化矽之間的電子轉移來建立具有低電阻的接觸。

AL(鋁)基金屬在SiC(碳化矽)中被稱為(wei) 有效受主元素,是因為(wei) 它具有以下特點:

     1. 高自由缺陷濃度:在SiC材料中,鋁原子可以導致高自由缺陷濃度。這是因為(wei) 鋁原子可以在SiC晶格中形成額外的局部缺陷,例如鋁空位和局部雜質能級。這些缺陷和能級提供了額外的能量狀態,增加了電荷載流子的擴散、複合等過程,從(cong) 而影響了材料的電性能。

     2. 摻雜效果:鋁的摻雜可以改變SiC的電子濃度類型,使其由N型(導電性由自由電子貢獻)轉變為(wei) P型(導電性由空穴貢獻)。這種摻雜效果使得鋁在SiC中具有重要的應用價(jia) 值,例如製備雙極型功率器件。

      總之,鋁在SiC中是有效受主元素,這是因為(wei) 它可以引入高自由缺陷濃度,並且改變材料的電子濃度類型,從(cong) 而對SiC材料的電性能產(chan) 生重要影響。