AI人工智能浪潮推動全球半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 走出“陰霾”，迎來了較為(wei) 明顯的增長，這可以從(cong) 近期業(ye) 界披露的各項產(chan) 業(ye) 數據得到佐證。不過縱觀全球半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 發展格局，各地區發展節奏並不相同，歐美半導體(ti) 擴產(chan) 潮開始遇到阻力，東(dong) 南亞(ya) 市場則不斷崛起。全球半導體(ti) 市場喜憂參半，機遇、挑戰並存，看點仍舊十足。

AI驅動，半導體市場進入增長周期

近期，半導體(ti) 行業(ye) 協會(hui) （SIA）發布數據顯示，今年第二季度全球半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 銷售額累計達1499億(yi) 美元，同比增長18.3%，環比增長6.5%。其中，今年6月單月銷售額達500億(yi) 美元，同比增長22.9%，環比增長1.7%。業(ye) 界指出，這是自2022年4月以來全球半導體(ti) 增長率創下的新高。生成式AI的蓬勃發展，帶動了整體(ti) 半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 的需求上升。

存儲(chu) 器與(yu) 晶圓代工兩(liang) 大行業(ye) 受AI驅動，正呈現出良性發展的態勢。

存儲(chu) 器領域，AI生成式大模型應用同時為(wei) DRAM以及NAND Flash帶來利好：AI應用需要使用高性能GPU，與(yu) 之相關(guan) 的HBM需求水漲船高。全球市場研究機構TrendForce集邦谘詢最新調查顯示，隨著AI芯片的迭代，單一芯片搭載的HBM（高帶寬內(nei) 存）容量也明顯增加。在AI芯片與(yu) 單芯片容量的增長推動下，對產(chan) 業(ye) 整體(ti) 的HBM的消耗量有顯著提升，2024年預估年增率將超過200%，2025年HBM消耗量將再翻倍。

AI也需要更高存儲(chu) 容量的閃存產(chan) 品，企業(ye) 級固態硬盤關(guan) 注度持續提升。集邦谘詢表示，由於(yu) AI需求大幅升溫，最近兩(liang) 季AI服務器相關(guan) 客戶向供應商進一步要求加單Enterprise SSD（企業(ye) 級固態硬盤），預計今年AI相關(guan) SSD采購容量將超過45EB，未來幾年，AI服務器有望推動SSD需求年增率平均超過60%。上遊供應商為(wei) 了滿足SSD在AI應用上的供給，加速製程升級，開始規劃推出2YY產(chan) 品，預期於(yu) 2025年量產(chan) 。

晶圓代工方麵，由於(yu) AI大模型應用熱度有增無減，推動AI芯片需求高漲，先進製程成為(wei) “香餑餑”，迎來漲價(jia) 與(yu) 擴產(chan) 潮。今年年初台積電已經告知客戶，5/3nm製程產(chan) 品將在2024年漲價(jia) 。7月下旬台積電陸續向多家客戶發出通知，2025年1月起 5/3nm製程產(chan) 品價(jia) 格將再度調漲，按投片規劃、產(chan) 品與(yu) 合作關(guan) 係等不同，漲幅約落在3~8%。

先進製程火熱發展行情吸引晶圓廠加速布局2nm、1nm等更新產(chan) 品，今年年初台積電告知客戶，5/3nm製程產(chan) 品將在2024年漲價(jia) 。台積電、三星規劃2025年量產(chan) 2nm，Rapidus則計劃同年開始試產(chan) 2nm。此外，2027年至2030年，業(ye) 界有望看到1nm級別芯片量產(chan) 。

喜憂參半，全球半導體發展步調各不相同

全球半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 發展此消彼長，當前歐美半導體(ti) 擴產(chan) 步伐受補貼、勞動力資源不足等因素影響，有所放緩，與(yu) 此同時，亞(ya) 洲市場以東(dong) 南亞(ya) 為(wei) 代表的半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 發展加速。

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大廠布局歐美市場遇阻

台積電、三星、英特爾等大廠在歐美市場的相關(guan) 半導體(ti) 項目推遲，其中台積電美國亞(ya) 利桑那州首座晶圓廠原計劃今年量產(chan) ，推遲至2025年上半年；當地第二座晶圓廠計劃於(yu) 2026年量產(chan) ，延期至2028年。

英特爾將在俄亥俄州建設兩(liang) 家新的尖端晶圓廠，計劃2025年開始芯片製造。由於(yu) 市場低迷以及美國補貼發放延遲，英特爾推遲了該芯片項目。經過調整，英特爾俄亥俄州一號項目的Fab1和Fab2兩(liang) 座工廠將推遲至2026~2027年完工，約2027~2028年正式投運。此外，英特爾在德國馬格德堡投資300億(yi) 歐元興(xing) 建的Fab 29.1和Fab 29.2兩(liang) 座晶圓廠原本計劃在2023年下半年開工，但是由於(yu) 歐盟補貼的推遲確認、建廠地區需要移除黑土，英特爾已經將開工時間將推遲到2025年5月。

三星位於(yu) 美國得克薩斯州泰勒市的首座晶圓廠原定於(yu) 2024年投產(chan) ，今年媒體(ti) 報道三星該座晶圓廠的量產(chan) 時間推遲到了2026年。另據媒體(ti) 最新消息，三星提出在美國德州建立存儲(chu) 芯片工廠的大規模投資計劃，不過美國商務部半導體(ti) 支持法案辦公室決(jue) 定不提供與(yu) 此計劃相關(guan) 的財務支持，業(ye) 界分析，這等同於(yu) 拒絕三星在美國建立存儲(chu) 芯片工廠。

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東(dong) 南亞(ya) 半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 逐漸崛起

亞(ya) 洲市場東(dong) 南亞(ya) 地區的半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 已經初具規模，並呈現出快速發展的態勢，馬來西亞(ya) 與(yu) 新加坡是典型代表，越南則是新勢力。

馬來西亞(ya) 在全球半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 鏈封測端扮演著重要角色，全球半導體(ti) 觀察不完全統計，約50家半導體(ti) 企業(ye) 先後在馬來西亞(ya) 布局後道封測廠，包括英特爾、美光、德州儀(yi) 器、恩智浦、日月光、安世半導體(ti) 、英飛淩、華天科技、通富微電、蘇州固锝、瑞薩電子、安森美、安靠、意法半導體(ti) 等。

今年5月，馬來西亞(ya) 公布了一項國家半導體(ti) 戰略（National Semiconductor Strategy，簡稱NSS），將關(guan) 注集成電路設計、先進封裝與(yu) 製造設備，以及存儲(chu) 芯片領域的發展。

新加坡是東(dong) 南亞(ya) 半導體(ti) 生產(chan) 重鎮，具備設計、製造、封裝、測試到設備、材料、分銷等各個(ge) 環節的半導體(ti) 完整產(chan) 業(ye) 鏈，包括德州儀(yi) 器、意法半導體(ti) 、英飛淩、美光、格芯、台積電、聯電、世界先進、日月光等許多半導體(ti) 企業(ye) 紛紛在新加坡開設分公司或擴大工廠。其中，晶圓代工領就有台積電、格芯、聯電、世界先進在此建廠，涉及8英寸以及12英寸工廠。

半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 是越南9個(ge) 國家級產(chan) 品之一，已被列入越南未來30~50年國家發展重點之一。根據《越南半導體(ti) 微芯片產(chan) 業(ye) 發展戰略草案》，越南計劃到2030年，致力於(yu) 成為(wei) 全球半導體(ti) 芯片產(chan) 業(ye) 的設計、封裝和測試中心。目前，越南已經吸引了英特爾、日月光、三星電子、安靠、高通、安森美、瑞薩、TI、NXP美滿、新思科技、恒諾微電子、安培等外資企業(ye) 。

最新消息顯示，越南近日成立國家半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 發展指導委員會(hui) 。指導委員會(hui) 主要任務和職能包括幫助總理和政府研究指導、配合解決(jue) 有關(guan) 推動與(yu) 越南半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 發展有關(guan) 的重要和跨部門事務；研究、谘詢、建議推動越南半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 發展的方向和解決(jue) 方案；指導各部門、政府機構、有關(guan) 機關(guan) 和組織間的配合，有力推動越南半導體(ti) 產(chan) 業(ye) 發展。